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自1986年起長期從事電子科學與技術領域的教學與研究工作，側重于電力電子器件及其應用的基礎研究和新技術開發。近年來，以寬禁帶半導體SiC電力電子器件的創新結構設計和制造為主要方向，自主研發的SiC肖特基勢壘二極管，代工流片已實現了650V/50A和1200V/30A兩種產品的試制；SiC-GTO、SiC光控晶閘管的設計和試制等。與企業合作開展了Si-IGBT與SiC-SBD的混合模塊和全SiC功率MOS與SBD模塊及其驅動電路的研發工作。

研究方向：

1. 新型半導體材料與器件

2.SiC材料、SiC電力電子器件及其模塊的設計制造。

獲獎情況：
科研上先后承擔過國家“863”項目、國家自然科學基金、中國博士后基金、教育部博士點基金、國防科技重點實驗室基金、省部級科技創新項目、企業委托項目30余項。發表科研論文80篇，其中被SCI、EI等檢索收錄70篇；獲原機械部、國土資源部、陜西省人民政府、西安市人民政府和陜西省教育廳等科技進步獎6項；獲批專利12項。
現擔任中國電工技術學會電力電子學會理事、校科學研究專門委員會委員、院級學術委員會委員、校“新型電力電子與功率集成工程技術中心”主任、《Chin. Phys. Lett.》、《Chin. Phys. B》、《半導體學報》、《高電壓技術》、ELSEVIER系列期刊特約審稿人。