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芯派科技股份有限公司-技術前沿資訊-MOSFET參數(shù)系統(tǒng)解讀

MOSFET參數(shù)系統(tǒng)解讀

時間：2020/6/8 21:46:01瀏覽次數(shù)：9523

器件規(guī)格書的幾頁英文數(shù)據(jù)看得眼花繚亂了吧，今天小編給大家逐條詳細解讀MOSFET參數(shù)，老板再也不會擔心我選器件的能力了，yeah！


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標識 參數(shù) 中文描述 應用系統(tǒng)關聯(lián)參數(shù)解讀
VDSS Drain to Source Voltage 漏源電壓標稱值 參考BVDSS
ID  Continuous Drain Current  (@TC=25°C) 漏源標稱電流 漏源間可承受的電流值，該值如果偏小，在設計降額不充裕的系統(tǒng)中或在過載和電流保護的測試過程中會引起電流擊穿的風險。
Continuous Drain Current (@TC=100°C)
IDM Drain current pulsed 漏源最大單脈沖電流 反應的是MOSFET漏源極可承受的單次脈沖電流強度，該參數(shù)過小，電源系統(tǒng)在做過載和電流保護測試時，有電流擊穿的風險。
VGS Gate to Source Voltage 柵漏電壓 柵極可承受的最大電壓范圍，在任何條件下，必須保證其接入的電壓必須在規(guī)格范圍內。MOSFET的柵極也是MOSFET最薄弱的地方。
EAS  Single pulsed Avalanche  Energy 單脈沖雪崩能量 MOSFET漏源極可承受的最大單次或多次脈沖能量，該能量如果過小在雷擊浪涌、過載保護和耐壓等測試項目時有失效的風險。
EAR  Repetitive Avalanche  Energy 重復雪崩能量
dv/dt Peak diode Recovery dv/dt 漏源寄生二極管恢復電壓上升速率 （1）dv/dt反應的是器件承受電壓變化速率的能力，越大越好。
（2）對系統(tǒng)來說，過高的dv/dt必然會帶來高的電壓尖峰，較差的EMI特性，不過該變化速率通過系統(tǒng)電路可以進行修正。
PD Total power dissipation  (@TC=25°C) 最大耗散功率 該值越大越好，由于該值的測試是模擬理想環(huán)境，所以測試出來值跟實際應用比起來差異特別大，參考意義比較有限。
Derating Factor above 25°C
TSTG,  TJ Operating Junction  Temperature & Storage Temperature 結溫及貯存溫度 該參數(shù)表明MOSFET的溫度承受能力，越大越好
TL Maximum Lead Temperature  for soldering 最大引線焊接溫度 該參數(shù)是針對插件類產品來說，該參數(shù)值越大，焊接時溫度承受能力越好。
purpose, 1/8 from Case for 5 seconds.



Thermal characteristics

標識 參數(shù) 中文描述 應用系統(tǒng)關聯(lián)參數(shù)解讀
Rthjc Thermal resistance, Junction to case 芯片到封裝的熱阻抗 該系列參數(shù)均表明在發(fā)熱相同條件下器件散熱能力的強弱，熱阻越小散熱能力越好。
Rthcs Thermal resistance, Case to Sink 封裝到散熱片的熱阻抗
Rthja Thermal resistance, Junction to ambient 芯片到空氣的熱阻抗
標識 參數(shù) 中文描述 應用系統(tǒng)
關聯(lián)參數(shù)解讀
IS Continuous source current 最大連續(xù)續(xù)流電流 漏源間可承受的最大持續(xù)電流，該值如果偏小，在設計降額不充裕的系統(tǒng)中在測試過載和電流保護的過程中會引起電流擊穿的風險。
ISM Pulsed source current 最大單脈沖續(xù)流電流 反應的是MOSFET漏源極可承受的單次脈沖電流強度，該參數(shù)過小，電源系統(tǒng)在做過載和電流保護測試時，有電流擊穿的風險。
VSD Diode forward voltage drop. 二極管源漏電壓 該參數(shù)如果過大，在橋式或LLC系統(tǒng)中會導致系統(tǒng)損耗過大，溫升過高。
Trr Reverse recovery time  反向恢復時間 該參數(shù)如果過大，在橋式或LLC系統(tǒng)中會導致系統(tǒng)損耗過大，溫升過高。同時也加重了電路直通的風險。
Qrr Reverse recovery Charge 反向恢復充電電量 該參數(shù)與充電時間成正比，一般越小越好。


Electrical characteristic

( TC = 25°C unless otherwise specified )

標識 參數(shù) 中文描述 應用系統(tǒng)關聯(lián)參數(shù)解讀
 Off characteristics
BVDSS Drain to source breakdown voltage 漏源擊穿電壓 漏源極最大承受電壓，該參數(shù)為正溫度系數(shù)。如果BVDSS過小，應用到余量不足的系統(tǒng)板中會引起MOSFET過壓失效。
ΔBVDSS/ ΔTJ Breakdown voltage temperature   coefficient 漏源擊穿電壓的溫度系數(shù) 正溫度系數(shù)，反應的是BVDSS溫度穩(wěn)定性，其值越小，表明穩(wěn)定性越好。
IDSS Drain to source leakage current 漏源漏電流 正溫度系數(shù)，IDSS越大，MOSFET關斷時的靜態(tài)損耗越大，會導致溫升惡化。
IGSS Gate to source leakage current, forward 柵極驅動漏電流 柵極漏電流，越小越好，對系統(tǒng)效率有較小程度的影響。
Gate to source leakage current, reverse
 On characteristics
VGS(TH) Gate  threshold voltage 開啟電壓 （1）在相同ID和跨導條件下，VGS(TH)越高，MOSFET米勒平臺也就越高。
（2）其直接反應MOSFET的開啟電壓，MOSFET實際工作時柵極驅動電壓必須大于平臺電壓，如果柵極驅動電壓長期工作在平臺附近，會導致器件不能完全打開，內阻急劇上升，從而器件產生相應的熱失效現(xiàn)象。
RDS(ON) Drain  to source on state resistance 導通電阻 同一規(guī)格的MOSEFET RDS(ON)越小越好，其直接決定MOSFET的導通損耗，RDS(ON)決越大，損耗越大，MOSFET溫升也越高。在較大功率電源中，RDS(ON)損耗占MOSFET整個損耗中較大比例。
RDS(ON)的變化會引起客戶系統(tǒng)板過流保護點的變化。
Gfs Forward Transconductance 正向跨導 其反應的是柵電壓對漏源電流控制的能力，Gfs過小會導致MOSFET關斷速度降低，關斷能力減弱，Gfs過大，會導致關斷過快，EMI特性差，同時伴隨關斷時漏源會產生更大的關斷電壓尖峰。
Dynamic characteristics
Ciss Input capacitance  輸入電容=Cgs+Cgd 該參數(shù)影響到MOSFET的開關時間，Ciss越大，同樣驅動能力下，開通及關斷時間就越慢，開關損耗也就越大，這也是在電源電路中要加加速電路的原因。但較慢的開關速度對應的會帶來較好的EMI特性。
Coss Output capacitance 輸入電容=Cds+Cgd 這兩項參數(shù)對MOSFET開關時間有影響，其中Cgd會影響到漏極有異常高電壓時，傳輸?shù)組OSFET柵極電壓能量的大小，會對雷擊測試項目有一定影響。
Crss Reverse  transfer capacitance 反向傳輸電容=Cgd (米勒電容)
td(on) Turn on delay time 漏源導通延遲時間 這些參數(shù)都是與時間相互關聯(lián)的參數(shù)。開關速度越快對應的優(yōu)點是開關損耗越小，效率高，溫升低，對應的缺點是EMI特性差，MOSFET關斷尖峰過高。
tr Rising time 漏源電流上升時間
td(off) Turn off delay time 漏源關斷延遲時間
tf Fall time 漏源電流下降時間
Qg Total gate charge 柵極總充電電量
Qgs Gate-source charge 柵源充電電量
Qgd Gate-drain charge 柵漏充電電量



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