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飛兆半導體公司低功率產品副總裁John Bende認為：“表面貼裝MOSFET正在取代以往同類產品，讓終端產品制造商獲得了不斷創新的能力。”他舉例說，新型MOSFET能使空間受限制的便攜設備減小外形尺寸，可為各種低壓(<20V)便攜式電子產品提供功率轉換、充電和負載管理所需的最佳熱性能和電氣性能，特別適合應用于移動電話、數碼相機、MP3播放器、醫療設備和其它智能化，小型化的便攜設備。還滿足全球電子產品應用中所需的RoHS標準等環保要求。

針對不同的應用領域，多家供應商提供了各類高性能MOSFET，進入了一個創新階段。Bende認為：“MOSFET的創新來自于提供技術的Subcon制造廠的出現。”正像1990年代的功率IC公司趨向于“無制造廠模式(fabless) ”，一些新興的分立器件供應商在進入市場的過程中，將硅片制造和封裝外包出去，降低硅片制造和封裝的壓力，以便在市場競爭中獲得成本優勢。目前許多運用“無制造廠模式”的MOSFET供應商利用這種成本優勢，獲得了較大市場份額。

但是，John Bende進一步指出：“現在，采用‘無制造廠模式’的MOSFET供應商面臨的問題是：是否能像運用‘無制造廠模式’的功率IC公司那樣，能長期有效地與擁有制造廠的MOSFET供應商展開競爭。”之所以出現這種憂慮，是因為功率IC供應商與MOSFET供應商有很大的不同。如今，有許多“無制造廠模式”的功率 IC公司戰勝擁有制造廠的IC公司，是因為這些“無制造廠模式”的IC供應商能夠應用知識并將知識轉換成產品，而這些產品又應用在客戶的下一代產品中。功率IC供應商的成功不僅依靠具有最小幾何尺寸的先進IC工藝技術來實現系統解決方案，而更多依靠成本優勢這一“非技術”因素，為客戶帶來高性價比的產品。

而“無制造廠模式”的MOSFET供應商的成功主要來自技術上的競爭力，成本上無競爭優勢。MOSFET承載著實際的功率，以實現系統設計人員對效率、尺寸、動態響應等性能的追求。為了在市場中有競爭力，MOSFET供應商不得不權衡直流和交流電壓的技術特性，以便在系統中獲得比競爭對手產品更高的性能。同時由于系統設計要求在不斷變化，因此MOSFET供應商必須時刻進行技術創新，以適應系統設計發展趨勢或超過競爭對手的產品性能。通常，MOSFET供應商需要每18個月對技術進行升級換代，以便在未來市場中保持領先地位。

John Bende總結道：“‘無制造廠模式’MOSFET供應商能否保持競爭優勢，關鍵取決于下一代技術的創新速度。”從最初出現“無制造廠模式”MOSFET供應商，到現在已有2年歷史，但是許多擁有制造廠的MOSFET供應商，已經加快了技術創新速度，向下一代MSOFET技術發起沖擊。

然而，下一代 MOSFET將向哪個方向發展呢？在不同應用領域，除了降低功耗是MOSFET的主要發展方向之外，還有三個顯著的發展趨勢：在相同占位面積下，加強性能提升、微型化和集成化的水平。尤其為了滿足便攜設備對MOSFET微型化的要求，飛利浦、飛兆等MOSFET廠商全力開發小型封裝產品，縮小MOSFET占位面積。

作為便攜設備的代表，筆記本電腦是低壓 MOSFET 的一個主要領域，該領域關鍵技術發展趨勢是“聚焦工藝”(focused processes)。在五年前，只有單一工藝能滿足筆記本電腦設計中對高邊和低邊MOSFET的要求，而現在，MOSFET供應商需要3種聚焦工藝來配合筆記本電腦對MOSFET位置(高邊和低邊)的要求，有時甚至需要4種聚焦工藝。因為筆記本電腦的工作電壓為19V，在該電壓下動態損耗比臺式電腦系統嚴重。為了克服該缺點，筆記本電腦中的“高邊” MOSFET使用了復雜的柵結構將米勒電容減至最低，以實現極間快速切換。而“低邊”MOSFET采用了在硅片集成肖特基和“復雜柵”的工藝，使MOSFET達到最佳效率。

雖然當今世界分立器件市場波動難于預測，但MOSFET廠商一致認為，筆記本電腦、游戲機、顯示器以及手持設備的快速發展，對高性能MOPSFET的需求量巨大。MOSFET廠商相信，只有不斷加強技術創新，才能在MOSFET市場上獲勝。